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您正在寻找一颗能扛起大电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STB170NF04正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达80A的连续电流处理能力，让您在设计大功率电源、电机驱动或逆变器时信心十足。

它的核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动下仅5毫欧，能显著降低传导损耗，提升整体系统效率，并有效缓解散热压力。同时，优化的栅极电荷特性让开关过程更加迅速、干净，助力您实现更高频率和更紧凑的设计。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:STB170NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB170NF04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。