我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW18N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STW18N65M5正是为您破局而来的利器。这颗基于先进MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。它凭借极低的220毫欧导通电阻，大幅削减传导损耗，直接提升系统能效，同时其优化的动态参数助力实现更干净、更快速的开关，让您轻松应对高频挑战。

它能够胜任高达15A的连续电流，并采用坚固的TO-247封装，确保出色的散热性能，即使在严苛的工业环境或持续高负载的服务器电源中也能稳定工作。选择STW18N65M5，就是为您的电机驱动、太阳能逆变器或充电设备注入一颗强劲而稳健的“心脏”，助您打造出在性能和可靠性上都更具竞争力的产品。

• 型号:STW18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。