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STGWA25H120DF2 零件图片(仅供参考)

STGWA25H120DF2
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STGWA25H120DF2 规格参数

您是否希望为您的功率转换系统注入一颗强劲而高效的“心脏”?STGWA25H120DF2正是这样一款专为 demanding 应用设计的IGBT。它集1200V高耐压、25A高电流与超低导通损耗于一身,让您轻松实现更高功率密度和更优的能源效率。

这颗芯片能为您做什么?它能让您的工业电机驱动运行更平稳、更安静;让您的太阳能逆变器在复杂环境下持续高效发电;让您的UPS电源提供更可靠的电能保障。其卓越的开关性能和宽广的工作温度范围,直接简化您的热管理设计,提升系统整体可靠性,助您打造出更具市场竞争力的终端产品。

  • 型号:STGWA25H120DF2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:375 W
  • 开关能量:600J(导通),700J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:100 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:29ns/130ns
  • 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):303 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • STGWA25H120DF2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGWA25H120DF2 基本参数:

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