我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF25NM60ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用中的效率与散热问题烦恼吗？STF25NM60ND就是为您量身打造的解决方案！这颗来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有高达600V的击穿电压和21A的连续电流能力，其核心魅力在于仅160毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小变压器和电感体积，优化整体系统成本与尺寸。无论是构建紧凑型电源适配器，还是驱动高性能工业电机，STF25NM60ND都能提供稳定可靠的开关性能，助您轻松提升产品能效等级和市场竞争力。

• 型号:STF25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。