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您是否正在为高压、高功率应用寻找一颗高效可靠的开关核心？STB15NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和14A的电流处理能力，其超低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件尺寸，优化整体系统成本与体积。无论是构建工业级开关电源、功率因数校正模块，还是驱动电机，STB15NM60ND都能提供稳定、强劲的性能输出，助您轻松应对严苛的能效与可靠性挑战。

• 型号:STB15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB15NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。