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您正在寻找一颗能扛起高功率应用重任的“核心开关”吗？STW36N55M5 N沟道MOSFET正是为您而来。它拥有550V的高压耐受能力和33A的强劲电流吞吐力，让您在设计服务器电源、工业变频器或UPS系统时，面对高压大电流场景也能信心十足，轻松构建高效、稳定的功率转换核心。

这颗芯片能为您做什么？它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，实现了超低的导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整体能效。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作更快更干净，不仅降低了开关损耗，还简化了您的驱动电路设计。这一切都集成在坚固的TO-247封装内，确保卓越的散热性能，让您的设备即使在高温高负荷下也能持续高效、可靠地运行。

• 型号:STW36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW36N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。