我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL285N4F7AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效开关的功率核心吗？STL285N4F7AG正是为您而来。它基于先进的STripFET F7技术，拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，而其导通电阻低至1.1毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，发热更少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高功率应用。其优化的动态参数，如低栅极电荷和输入电容，确保了极快的开关速度，减少开关损耗，让系统工作频率得以提升，响应更加迅猛。采用热性能卓越的PowerFlat封装，帮助您在有限空间内实现高功率密度布局，并有效管理热量。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STL285N4F7AG都是您实现设计目标的得力助手。

• 型号:STL285N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL285N4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。