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还在寻找能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关解决方案吗？STH240N10F7-2正是为您而来的答案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达180A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用散热性能优异的H2PAK-2封装，轻松应对300W的功率耗散，确保系统在高负载下依然冷静运行。优化的动态参数（如栅极电荷）让开关更迅捷，帮助您减少开关损耗并简化驱动电路设计。无论是追求极致能效的服务器电源，还是要求高可靠性的工业变频器，STH240N10F7-2都能让您的产品性能脱颖而出，设计工作变得更加轻松高效。

• 型号:STH240N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH240N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。