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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STGW50H65DFB2-4正是为您而来。这颗来自意法半导体的650V沟槽型场截止IGBT，集成了86A的高电流能力和低至2V的饱和压降，让您的电机驱动、太阳能逆变或UPS系统轻松实现更低的导通与开关损耗，直接提升整体能效。

它凭借272W的强大功率处理和优异的开关速度（开启延迟仅18ns），确保系统响应迅捷、运行稳定。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）更能让您的产品无惧严苛环境挑战。选择它，就是为您的核心设计注入了高效与坚固的双重保障。

• 型号:STGW50H65DFB2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:272 W
• 开关能量:629J（导通），478J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:151 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns
• 测试条件:400V，50A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):92 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW50H65DFB2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。