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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的功率开关吗？STB14NK50ZT4正是为您而来！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源和电机驱动设计更上一层楼。它凭借仅380毫欧的低导通电阻和优化的栅极电荷，大幅降低开关损耗和导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统能效，让您轻松应对能效法规的挑战。

这颗芯片能为您做什么？它就像一位电力系统的“高效指挥官”。高达500V的漏源电压和14A的连续电流处理能力，让它能稳健地掌控功率流向。无论是处理频繁的开关动作，还是应对瞬间的功率冲击，其坚固的设计和宽泛的工作温度范围都能确保稳定运行。选择STB14NK50ZT4，意味着您为产品选择了经久耐用的核心动力，让高效与可靠从此兼得。

• 型号:STB14NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。