我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L9856-TR-LF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能完美驱动您高压侧功率MOSFET的“心脏”吗？L9856-TR-LF就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的高端栅极驱动器，专为简化您的设计、提升系统可靠性而生。

它拥有高达150V的自举电压和4.4V至6.5V的宽供电范围，让您轻松应对高压环境。其500mA的强大峰值输出电流，能确保您的MOSFET被迅速、有力地驱动，实现高效开关，从而降低功耗，提升整体能效。无论是面对工业环境的严酷温度（工作结温高达150°C），还是追求紧凑的板级设计（采用8-SOIC表面贴装封装），它都能让您的产品性能更稳定，设计更优雅。

• 型号:L9856-TR-LF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.4V ~ 6.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L9856-TR-LF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。