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您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的“核心动力”吗？STB13NM60N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流通过能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，底气十足，轻松应对高功率挑战。

它的卓越之处在于极致优化。仅360毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的系统效率；而30nC的低栅极电荷，则确保了快速、干净的开关动作，让高频运行更加高效平稳。这一切都封装在坚固的D2PAK之中，提供出色的散热性能，保障设备在严苛环境下也能稳定、持久地工作。

简而言之，STB13NM60N是您实现高效能、高可靠性功率转换设计的理想选择。它用出色的性能参数，为您简化设计难题，提升产品最终表现。

• 型号:STB13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。