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还在为寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的功率开关而烦恼吗？让STI4N62K3来为您解决难题！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的耐压和3.8A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关角色。

它的卓越之处在于，极低的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低您的系统导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，让设备运行更“冷静”、更持久。坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，更为您的设计提供了坚实的可靠性保障，让您高效推进项目，无后顾之忧。

• 型号:STI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。