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还在为高压大电流开关应用中的效率与发热问题寻找解决方案吗？STY100NM60N正是为您而来的得力助手。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达98A的电流处理能力，其核心魅力在于MDmesh II技术带来的革命性低导通电阻（仅29毫欧），能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它不仅仅是一个开关，更是性能的保障。极低的栅极电荷和优化的动态特性，让开关速度更快、损耗更小，轻松应对高频开关挑战。无论是构建更紧凑的工业电源，还是打造更可靠的新能源逆变器，STY100NM60N都能让您以更少的热管理投入，获得更强的功率输出和更长的系统寿命，助您轻松跨越设计难关，赢得市场先机。

• 型号:STY100NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 49A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:330 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY100NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。