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您正在寻找一颗能同时征服高压与高频挑战的功率开关吗？STF7N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6A的强大电流处理能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容，让开关过程迅捷而干净，显著降低开关损耗，轻松实现更高的工作频率。同时，优异的导通电阻特性确保了在导通状态下的高效电能传输，直接帮助您提升整机效率，减少热量产生。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与耐久的基因。

• 型号:STF7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。