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您正在寻找一颗能简化高压半桥驱动设计、同时提供强劲动力的核心芯片吗？L6386D正是您期待的答案。这款来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，其高达600V的自举电压和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C），让您能轻松应对工业驱动、电源转换等高压应用环境的挑战。

它内置两路独立通道，提供反相输入逻辑，并拥有高达650mA（拉出）和400mA（灌入）的峰值输出电流，配合纳秒级（典型值50ns/30ns）的快速开关特性，能极大提升您的系统开关频率与效率，同时有效保护功率器件。采用紧凑的14-SOIC封装，L6386D旨在以更小的空间占用，为您带来更高效、更可靠的驱动性能，化繁为简，赋能您的创新设计。

• 型号:L6386D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。