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STD30N6LF6AG 零件图片(仅供参考)

STD30N6LF6AG
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STD30N6LF6AG 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗?STD30N6LF6AG正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET F6技术的N沟道MOSFET,拥有60V耐压和24A的强大电流处理能力,让您在设计DC-DC转换、电机控制或负载开关时信心倍增。

它的核心魅力在于极致的效率。仅25毫欧的超低导通电阻,能显著减少功率损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更节能。同时,优化的栅极电荷和电容特性,确保了快速干净的开关动作,帮助您轻松提升整体频率响应和能效表现。选择它,就是为您的产品注入了来自ST意法半导体的汽车级品质与澎湃动力。

  • 型号:STD30N6LF6AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1320 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):40W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD30N6LF6AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD30N6LF6AG 基本参数:

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