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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STW6N95K5正是为您破局而来的解决方案。这颗950V/9A的N沟道MOSFET，凭借其革命性的SuperMESH5技术，为您带来超低的导通电阻（Rds(on)）与开关损耗，让您的电源系统效率轻松跃升新台阶。

它能让您的高压开关电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更安静、更可靠。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动设计，让您轻松优化电路性能，同时有效降低整体系统成本。选择STW6N95K5，就是选择了一条通往更高功率密度和更强市场竞争力的高效路径。

• 型号:STW6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW6N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。