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还在寻找一颗能彻底释放您870MHz射频系统潜力的核心器件吗？PD84010S-E正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，专为高效能、高可靠性应用而生，它能轻松将2W的强劲射频功率与16.3dB的高增益注入您的系统，显著提升信号覆盖范围和链路质量。

它让您无需在功率与效率间艰难取舍。高达40V的耐压和8A的电流能力提供了充足的性能余量，确保系统长期稳定运行。其先进的PowerSO-10封装兼具优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您的设计更高效、更可靠。选择PD84010S-E，就是为您的通信、广播或射频设备选择了一个坚实而强大的心脏。

• 型号:PD84010S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD84010S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。