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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益和出色可靠性的射频“心脏”吗？PD57060TR-E正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体精心打造的LDMOS射频功率晶体管，能在945MHz频段为您稳定输出高达60W的强劲功率，并带来14.3dB的卓越增益，让您的无线设备信号更强、覆盖更远。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您轻松应对高温挑战，确保系统长时间稳定运行。无论是用于通信基站、广播发射还是工业加热设备，PD57060TR-E都能以其65V高耐压和7A大电流能力，为您构建一个高效、可靠的射频功率放大核心，大幅提升整机性能与市场竞争力。

• 型号:PD57060TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.3dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57060TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。