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还在为驱动多个高压侧MOSFET而设计复杂的自举电路和隔离方案吗？让L9380-TR来改变这一切！这颗芯片能为您做什么？它本质上是一位高效、可靠的“电力指挥官”。

它内置三个独立的高端驱动通道，专门用于驱动N沟道MOSFET，供电范围宽达7V至18.5V。这意味着您无需再为每个高端开关搭建繁琐的外围电路，一颗L9380-TR就能轻松接管，大幅简化您的板级设计，节省宝贵空间。其坚固的设计（工作结温高达150°C）和非反相输入逻辑，让您即使在恶劣的工业或汽车环境下，也能实现对功率器件的精准、可靠控制，确保系统高效、稳定运行。

• 型号:L9380-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:20-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:3
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7V ~ 18.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1V，3V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:20-SO
• L9380-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。