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还在为高压应用中的空间限制和散热难题而烦恼吗？STL3N80K5正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和2.5A的电流处理能力，专为要求苛刻的功率开关场景设计。

它采用先进的POWERFLAT封装，在提供出色电气性能的同时，大幅节省了PCB板空间，让您的设计更加紧凑、高效。其优化的特性让您能够轻松实现更低的导通损耗和更快的开关速度，从而提升整个电源系统的效率与可靠性。无论是开发新一代适配器、工业电源还是照明驱动，选择它，就是为您的项目注入了高效与稳定的核心动力。

• 型号:STL3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STL3N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。