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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益与出色稳定性的射频放大核心吗？PD55003STR-E正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，专为 demanding 应用而设计。

它能让您在高达500MHz的频率下，轻松获得3W的纯净功率输出，高达17dB的增益显著提升信号强度，让您的系统前端设计事半功倍。40V的高耐压与优化的PowerSO-10封装，确保了它在严苛环境下的高效散热与长期可靠运行，为您构建坚固的无线信号桥梁。

• 型号:PD55003STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD55003STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。