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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STU6N65M2来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的高压耐受能力和4A的连续电流，是您构建高效、可靠功率系统的核心之选。

它最擅长的事情，就是让您的电源转换和电机控制变得前所未有的轻松高效。其采用的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（仅1.35欧姆），能显著减少开关过程中的导通损耗，直接提升整机效率并降低温升。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，让您轻松应对高频设计挑战，并有效抑制电磁干扰。

无论是开发紧凑的开关电源、强健的电机驱动器，还是高效的LED照明方案，STU6N65M2都能以出色的性能与可靠性，助您一臂之力，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STU6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。