我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） PD54003L-E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高增益与大功率输出的射频驱动核心吗？PD54003L-E正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频晶体管，能在500MHz的中心频率上，为您稳定提供高达3W的输出功率和20dB的强劲增益，让您的信号放大变得前所未有的高效和有力。

它采用紧凑的8-PowerVDFN封装，却拥有4A的额定电流和25V的耐压能力，确保在严苛环境下依然稳定工作。无论是提升通信设备的覆盖范围，还是增强广播发射机的信号质量，PD54003L-E都能让您轻松构建高性能、高可靠的射频功率放大级，显著提升您终端产品的整体性能表现。

• 型号:PD54003L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:20dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD54003L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。