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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STGWA80H65DFB正是您的理想之选。它集650V高压、120A连续电流与优异的开关特性于一身，旨在让您的电源转换或电机驱动设计事半功倍。

这颗芯片采用先进的沟槽型场截止技术，在80A电流下导通压降仅为2V，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其极低的开关能量（开通2.1mJ，关断1.5mJ）和快速的反向恢复时间，让高频开关应用变得轻松自如，有效减少发热，简化散热设计。

无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的紧凑高效，STGWA80H65DFB都能以其强大的功率处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），为您的产品注入持久稳定的动力核心。

• 型号:STGWA80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA80H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。