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还在为射频前端功率不足、效率低下而烦恼吗？让PD20010TR-E为您彻底改变局面！这颗由ST意法半导体精心打造的40V N沟道LDMOS射频功率晶体管，专为追求高性能的设计而生。

它能让您在2GHz频段轻松驾驭高达10W的输出功率，凭借11dB的高增益，显著放大您的信号强度，确保通信链路更远、更稳、更清晰。其坚固的PowerSO-10RF封装和优异的散热设计，让您能够构建高效、可靠且紧凑的射频放大解决方案，无论是用于通信基础设施还是专业无线设备，都能助您一臂之力，高效达成设计目标。

• 型号:PD20010TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD20010TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。