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还在为高压应用中的效率与发热问题头疼吗？让STL8N80K5来为您解决！这颗基于意法半导体先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和4.5A的强电流能力，专为要求严苛的功率转换场景而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（950mΩ @ 3A, 10V）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效。同时，其优异的PowerFlat封装提供了出色的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。选择它，您将轻松获得更紧凑的设计、更低的温升和更长的产品寿命。

• 型号:STL8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。