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还在寻找一颗能兼顾性能、可靠性与设计便利性的核心存储芯片吗？NAND128W3A0AN6正是您的理想之选。这颗由ST意法半导体打造的128Mb并行NAND闪存，能为您的高速嵌入式系统提供稳定、非易失的数据存储解决方案。

它拥有16M x 8的存储容量，50ns的快速页写入和访问时间，让您的设备数据处理高效流畅。2.7V至3.6V的宽电压供电和-40°C到85°C的工业级工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定运行，极大提升了您产品的适应性和可靠性。采用标准的48-TSOP表面贴装封装，让您的PCB布局和生产线焊接都变得轻松简单。

• 型号:NAND128W3A0AN6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A0AN6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。