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您正在寻找一颗能轻松驾驭400V高压，同时保持高效开关和出色热性能的功率MOSFET吗？STD9NM40N正是为您而来。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，让您能够以更低的导通损耗（仅790mΩ）和优异的开关特性，构建更高效、更紧凑的电源转换系统。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对开关电源、电机驱动和照明控制等应用中的高压开关任务。其高达5.6A的连续电流能力和60W的功率耗散，确保了强大的驱动性能和可靠性。极低的栅极电荷（14nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而全面提升系统效率。选择STD9NM40N，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的动力核心。

• 型号:STD9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM40N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。