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还在为功率转换系统的效率提升而苦苦寻觅关键器件吗？STP35N60DM2就是您期待的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，集600V高耐压与28A大电流能力于一身，其核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。

它凭借极低的110毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接帮助您提升系统整体能效，并简化散热设计。同时，优化的开关特性（如低栅极电荷）让高频操作变得轻松，响应更迅速。无论是用于开关电源、电机控制还是照明应用，STP35N60DM2都能以卓越的稳定性和性能，助您轻松应对高功率密度设计的挑战，打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STP35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。