我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） NAND02GW3B2AN6F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能够为您的成熟设备提供稳定数据存储核心的解决方案吗？NAND02GW3B2AN6F正是您理想的伙伴。这颗由意法半导体打造的2Gb并行NAND闪存，能以高达30ns的速度响应您的读写指令，让数据存取高效流畅，轻松应对实时数据记录与系统快速启动的需求。

其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）的设计，赋予了它强大的环境适应力，确保在工业自动化、通信设备等复杂场景中稳定运行，让您无惧挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠性，让项目维护与生命周期管理变得简单而省心。

• 型号:NAND02GW3B2AN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND02GW3B2AN6F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。