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还在为电源系统的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STW18NM80为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，集800V高耐压与17A大电流于一身，专为挑战高效能应用而设计。

它凭借先进的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶。高达190W的功率处理能力和150°C的工作结温，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，大幅简化您的热管理设计。

无论是提升工业驱动器的性能，还是打造更节能的服务器电源，选择STW18NM80，就是选择了一个高效、可靠且易于驾驭的功率核心，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。

• 型号:STW18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。