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您是否渴望一颗能同时驾驭大电流与高效率的功率开关？STP140NF75正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有75V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流承载能力，其核心魅力在于惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，不仅开关性能优异，更能承受310W的功率耗散。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保它在各种严苛环境下稳定如一。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能基石，让您轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:STP140NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP140NF75，ST（意法半导体）产品一站式供应商。