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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静与高效的核心功率开关吗？STF20NM60D正是您的理想选择。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源耐压和20A的连续电流能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它的核心价值在于极低的功率损耗。凭借FDmesh先进技术，其导通电阻低至290毫欧，能显著减少导通时的热量产生，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，优化的动态参数让开关过程快速而干净，有助于提升整体频率和功率密度。

采用坚固的TO-220FP封装，它为您提供了出色的功率耗散能力（45W）和便捷的安装方式。无论是升级现有设计还是开发新产品，STF20NM60D都能让您轻松应对高压功率处理的挑战，实现更高效、更可靠的能源转换。

• 型号:STF20NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20NM60D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。