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还在为高压电源设计的效率瓶颈而烦恼吗？STP4N90K5正是为您破局而来的利器。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和仅3A（Tc）下的低导通电阻，核心使命就是让您轻松实现高效、低损耗的电能转换。

它能够显著降低开关电源（SMPS）、PFC电路中的开关损耗和传导损耗，帮助您的设备提升整体能效。其优化的动态性能和稳健的TO-220封装，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，功率耗散能力高达60W。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏，让设计更高效，让产品更可靠。

• 型号:STP4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。