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还在寻找一颗能扛得住严苛环境，读写又飞快的数据存储核心吗？NAND01GW3B2AN6E闪存芯片正是您的理想答案。这颗由意法半导体打造的1Gb并行NAND闪存，拥有30ns的迅捷访问时间，让您的设备数据存取如行云流水，毫无迟滞。

它能在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作，并适应2.7V~3.6V的宽电压供电，确保无论是在冰天雪地还是炎炎夏日，您的产品都能可靠运行。其128M x 8的存储容量，足以轻松容纳系统程序、用户数据或多媒体内容，为您的设计提供坚实的存储后盾。

采用标准的48-TSOP封装，便于焊接与集成，让您能高效完成PCB布局，加速产品开发进程。选择NAND01GW3B2AN6E，就是为您的设备选择了一份值得信赖的数据存储保障。

• 型号:NAND01GW3B2AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW3B2AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。