我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP15N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压大梁，同时又能保持极低损耗的功率开关吗？STP15N80K5正是为此而生。它基于意法半导体先进的SuperMESH5技术，为您提供800V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，让您的电源或电机驱动设计在面对高压输入或感性负载时稳如泰山。

这颗芯片的核心价值在于其超凡的效率。它在10V驱动下仅375毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接将更多的电能高效输送，从而降低系统温升，提升整体能效和可靠性。同时，其优化的动态参数让开关过程更加干净利落，不仅减少了开关损耗，还让驱动电路的设计变得更为轻松，帮助您高效地完成高性能、高可靠性的功率系统设计。

• 型号:STP15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。