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还在为如何平衡功率、效率与可靠性而烦恼吗？STGW60H65FB正是您寻找的答案。这颗650V/80A的沟槽型场截止IGBT，能为您的高压大电流应用提供强劲而高效的核心开关。它凭借仅2.3V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统损耗，让您的电机驱动、太阳能逆变器或工业电源运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片能轻松处理高达375W的功率，并具备240A的强悍脉冲电流能力，确保您的设备在面对负载冲击时稳如磐石。其宽达-55°C至175°C的工作结温范围和坚固的TO-247封装，让它在严苛环境下也能持久可靠地工作。选择STGW60H65FB，就是为您的产品注入高效、稳定的动力核心，助您轻松打造更具市场竞争力的解决方案。

• 型号:STGW60H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.09mJ（导通），626J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW60H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。