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还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STW60N65M5将彻底改变您的看法。这颗基于先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V耐压和46A的强劲电流处理能力，专为要求严苛的高效功率转换而设计。

它的核心价值在于让您的设计事半功倍。仅59毫欧的超低导通电阻，能大幅降低传导损耗，直接提升系统能效；同时，优化的开关特性帮助您减少驱动损耗，让高频高效运行成为可能。无论是工业电源、太阳能逆变器还是电机驱动，它都能让您轻松应对高功率挑战，实现更紧凑、更可靠的系统设计。

凭借TO-247封装带来的卓越散热性能和高达150°C的工作结温，它确保了在持续高负荷下的稳定运行。选择STW60N65M5，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STW60N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW60N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。