我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） M58WR064EB70ZB6T现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起系统核心代码存储与快速执行重任的“大脑”吗？M58WR064EB70ZB6T正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的64Mb并行NOR闪存，以其高达66MHz的运行速度和70ns的极速访问时间，让您的系统指令读取与执行如行云流水，大幅提升整体响应效率。

它为您提供高达4M x 16位的可靠存储空间，宽电压（1.65V~2.2V）设计与-40°C至85°C的宽广工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，数据永不丢失。采用紧凑的56-VFBGA封装，让您能在有限的空间内轻松实现高密度集成，简化电路板设计。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或网络设备应用，选择了一份高效、稳定且经久耐用的存储保障。

• 制造商产品型号：M58WR064EB70ZB6T
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：66MHz
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.65V ~ 2.2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：56-VFBGA
• M58WR064EB70ZB6T，ST（意法半导体）产品一站式供应商。