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您是否正在寻找一颗能够以极小体积承载高效功率开关任务的芯片？STN5PF02V正是为您而来。这颗来自意法半导体的P沟道MOSFET，拥有20V耐压和4.2A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅80毫欧@4.5V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用紧凑的SOT-223封装，非常适合空间受限的便携式电子产品、电池管理模块或作为高效的负载开关。低栅极电荷和输入电容让驱动变得轻松，简化您的电路设计。选择它，就是为您的项目注入一份高效与可靠，轻松应对各种低压功率控制挑战。

• 型号:STN5PF02V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN5PF02V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。