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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与可靠性的功率开关吗？STF5N60M2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的坚固耐压和3.7A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制应用时，轻松应对高电压平台的挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。1.4欧姆的低导通电阻显著降低了功率损耗，而优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关响应，从而全面提升系统能效。采用可靠的TO-220FP封装，散热性能优异，结温高达150°C，为您提供宽裕的设计余量和长久稳定的运行保障。选择它，就是为您的产品注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。