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M36DR432AD10ZA6T 零件图片(仅供参考)

M36DR432AD10ZA6T
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M36DR432AD10ZA6T 规格参数

您正在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的存储核心吗?M36DR432AD10ZA6T正是您理想的答案。这颗由ST意法半导体打造的32Mb并行闪存,能以高达100ns的速度响应您的数据访问需求,让您的系统运行如飞。其1.65V至2.2V的低电压设计和宽温工作范围(-40°C至85°C),确保它在各种严苛环境下都能稳定、高效地保存您的关键代码与数据。

无论是工业控制、通信设备还是需要长期数据保存的应用,它都能成为您系统中最可靠的记忆单元。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

  • 型号:M36DR432AD10ZA6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:66-LFBGA(12x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存
  • 存储容量:32Mb
  • 存储器组织:2M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:100 ns
  • 电压 - 供电:1.65V ~ 2.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:66-LFBGA
  • 供应商器件封装:66-LFBGA(12x8)
  • M36DR432AD10ZA6T,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

M36DR432AD10ZA6T 基本参数:

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