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还在为空间紧张却需要强大开关能力的电路发愁吗？STT5PF20V正是为您解忧的利器。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，在微小的SOT-23-6封装内，集成了20V耐压和高达5A的连续电流处理能力，让您能在极紧凑的布局中实现高效、可靠的电源开关与控制。

它拥有极低的导通电阻（典型值80毫欧@2.5A, 4.5V），能显著减少导通损耗，提升系统效率。同时，其低栅极电荷和宽泛的驱动电压范围（2.5V至4.5V），让您能够轻松驱动，实现快速、平滑的开关动作，非常适合电池供电设备、负载开关、电源管理模块等应用。选择STT5PF20V，就是选择了一颗能让您的设计更高效、更精简的核心器件。

• 型号:STT5PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT5PF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。