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还在为高压大电流应用的开关损耗和散热问题头疼吗？让STF32NM50N来为您分忧！这颗N沟道功率MOSFET，拥有500V的耐压和22A的电流处理能力，是您打造高效电源、电机驱动和工业控制系统的得力助手。

它采用了ST引以为傲的MDmesh II技术，能够在10V驱动电压下实现极低的导通电阻，同时保持优化的栅极电荷。这意味着它能帮助您轻松降低系统的导通损耗和开关损耗，显著提升整体能效，让设备运行更凉爽、更可靠。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，即使在高达150°C的结温下也能稳定工作，为您的设计提供坚实的性能保障。

• 型号:STF32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF32NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。