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还在为高压侧MOSFET的驱动难题而烦恼吗？让L9856来为您轻松化解！这颗来自ST意法半导体的单路高端栅极驱动器，是您实现高效、可靠功率控制的得力助手。

它能在4.4V至6.5V的供电下稳定工作，提供高达500mA的拉灌电流，以低至100纳秒的开关速度，精准驱动您的N沟道MOSFET。其自举架构支持高达150V的高压侧电压，让您在设计电机驱动、电源转换等应用时更加得心应手。宽达-55°C至150°C的工作结温范围，更是确保了它在极端环境下的卓越表现。

选择L9856，就是选择了一个经过验证的解决方案，它能简化您的电路设计，提升系统效率与可靠性，助您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:L9856
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.4V ~ 6.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L9856，ST（意法半导体）产品一站式供应商。