我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP22NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致能效的今天，您是否在寻找一颗能大幅降低系统功耗、提升整体可靠性的功率开关？STP22NM60N正是为此而生。它集成了ST先进的MDmesh II技术，让您在高达600V的电压平台下，依然能享受低至220毫欧的导通电阻所带来的高效体验，显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭16A的连续电流，以高达125W的功率处理能力，应对各种严苛的工业与消费类应用。其优化的栅极电荷和开关特性，有助于提升系统开关频率，从而让您设计出更小巧、更轻便的磁性元件和整体解决方案。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

• 型号:STP22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP22NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。