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您是否希望为您的电源或电机驱动系统找到一颗动力澎湃且值得信赖的“心脏”？STWA30N65DM6AG正是为此而生。这颗650V/28A的N沟道MOSFET，拥有低至110毫欧的导通电阻和优化的开关特性，能显著降低系统损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它基于先进的汽车级（AEC-Q101）标准打造，确保在极端温度（-55°C ~ 150°C）和恶劣环境下依然稳定可靠。无论是用于电动汽车充电、工业变频还是服务器电源，它都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，提升产品的整体性能和市场竞争力。

• 型号:STWA30N65DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:284W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA30N65DM6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。