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还在寻找一颗能简化设计、释放功率级全部潜力的驱动核心吗？L6741TR正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，能为您高效、可靠地驱动两个N沟道MOSFET，轻松构建同步整流或半桥功率级。

它内置2A的强大拉灌电流能力，确保MOSFET的快速开关，显著降低开关损耗，让您的电源系统运行更高效、发热更少。高达41V的自举电压和宽范围供电，赋予您灵活的设计空间和强大的耐压余量。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，让您轻松实现高密度板级布局，是提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:L6741TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1V，2.3V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6741TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。